5G 기지국의 방열은 열전도율이 높은 소재와 떼려야 뗄 수 없는 관계!
Nov 02, 2021
이동통신망에서 기지국에서 발생하는 열이 증가하고 온도 조절의 어려움도 높아지고 있다. 5G 기지국의 전력 소모량은 4G 기지국의 2.5~4배이며, 주로 신호 변환, 처리, 전송을 수행하는 AAU와 BBU에서 발생한다. 기지국 전력 소모의 증가는 발열의 증가를 의미한다. 가열이 적시에 이루어지지 않으면 기지국의 내부 환경 온도가 상승합니다. 정격 온도를 초과하면 네트워크의 안정성과 장비의 서비스 수명에 심각한 영향을 미칩니다.
5G 기지국은 일반적으로 건물 옥상의 철골이나 현장의 높은 곳에 설치된다. 따라서 설치의 편의를 위해 장비의 크기와 무게를 줄이는 것이 필수적입니다. 이것은 필연적으로 5G 기지국의 방열에 더 큰 문제를 가져올 것입니다. 5G 기지국의 방열 문제를 더 잘 해결하기 위해서는 기지국의 열교환 효율을 최대한 높이고 제한된 공간에서 열전달 저항을 줄이는 것이 필요하다. 방열판 설계를 최적화하는 것 외에도 액체 냉각 방법, 새로운 방열 재료 또는 합리적인 칩 레이아웃을 채택하는 것 외에도 열전도율이 높고 열 저항이 낮은 고열전도성 재료가 필요하므로 열원의 열이 전달될 수 있습니다. 방열 쉘에 더 빨리.
열 전도성 재료에 대한 5G 기지국의 높은 열 전도성 요구 사항을 고려하여 주요 권장 재료는 TIF800 열 전도성 실리콘 시트, Z-Paster100-30-10S 무실리콘 열 전도성 시트 및 TIG780-38 열 전도성 실리콘입니다. 유지.
