트랜지스터 기술 혁신 : 새로운 기술은 냉각 용량을 두 번 이상 증가시킬 수 있습니다!

반도체 장치의 소형화가 증가함에 따라 전력 밀도 및 열 발생 증가와 같은 문제가 발생하여 이러한 장치의 성능, 신뢰성 및 수명에 영향을 줄 수 있습니다. 다이아몬드의 갈륨 질화물 (GAN)은 차세대 반도체 재료로 유망한 전망을 나타냅니다. 두 물질 모두 다이아몬드의 높은 전도도와 높은 열전도율을 가능하게하여 우수한 열 소산 기판으로 배치하는 넓은 밴드 갭을 가지고 있기 때문입니다.
보고서에 따르면, 오사카 메트로폴리탄 대학교 (Osaka Metropolitan University)의 연구팀은 지구상에서 가장 열 전도성 천연 물질 인 다이아몬드를 사용하여 질화 질화물 (GAN) 트랜지스터를 생성하는 기판으로 전통적인 트랜지스터의 열 소산 용량의 두 배 이상을 사용했습니다. 최신 연구에서 오사카 공립 대학의 과학자들은 다이아몬드를 기판으로 사용하여 Gan High Electron Mobility Transistors를 성공적으로 제조했습니다. 이 새로운 기술의 열 소산 성능은 실리콘 카바이드 (SIC) 기판에서 제조 된 유사하게 형성 된 트랜지스터의 두 배 이상입니다. 인터페이스의 열 저항을 크게 줄이고 열 소산 성능을 향상시킵니다.